TDK原创变压器设计音频设备的ESD和EMI保护
发布时间:2021/4/24 17:18:52 访问次数:261
PH600A280 采用 TDK 原创变压器设计(专利申请中),通过优化结构设计,达到同功率下业界领先的半砖尺寸,力压同类竞争产品(比 TDK 现有产品小 50%)。
电源转换效率也提高了 2%。这将有助于客户实现其设备的小型化和节能化设计。
与 300W 型号一样,600W 型号也已通过 EN62477-1 安规认证(过压 III 类)。这将有助于客户的设备满足 IEC60204-1 机械电气安全认证要求。
安装 PH600A280 后,客户可以从配电板上去除传统隔离变压器。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: BSC500N20
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 19 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: SP000998292 BSC5N2NS3GXT BSC500N20NS3GATMA1
单位重量: 120.300 mg

音频设备的ESD和EMI保护,如智能手机、扬声器以及其它工作频段为2.4-GHz、使用无限局域网和蓝牙连接的无线设备
主要特点与优势
集成ESD和EMI保护
出色的ESD保护能力,符合IEC61000-4-2四级标准,最大工作电压为直流28V
PH600A280 采用 TDK 原创变压器设计(专利申请中),通过优化结构设计,达到同功率下业界领先的半砖尺寸,力压同类竞争产品(比 TDK 现有产品小 50%)。
电源转换效率也提高了 2%。这将有助于客户实现其设备的小型化和节能化设计。
与 300W 型号一样,600W 型号也已通过 EN62477-1 安规认证(过压 III 类)。这将有助于客户的设备满足 IEC60204-1 机械电气安全认证要求。
安装 PH600A280 后,客户可以从配电板上去除传统隔离变压器。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: BSC500N20
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 19 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: SP000998292 BSC5N2NS3GXT BSC500N20NS3GATMA1
单位重量: 120.300 mg

音频设备的ESD和EMI保护,如智能手机、扬声器以及其它工作频段为2.4-GHz、使用无限局域网和蓝牙连接的无线设备
主要特点与优势
集成ESD和EMI保护
出色的ESD保护能力,符合IEC61000-4-2四级标准,最大工作电压为直流28V