CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度双向电动汽车车载充电机参考设计,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器,以得到大功率密度电动汽车车载充电机(OBC).

Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高频开关性能,得到小型和轻的成本效益的系统.

峰值效率为96.5%,功率密度为53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸为220mmx180mmx50mm.参考设计采用通用单相输入电压,90V和265V之间.

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

22A（Ta），88A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），36W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-6

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1300pF @ 15V

出色的 ESD 保护能力，符合 IEC61000-4-2 四级标准

可有效抑制无线通信所产生的TDMA噪声

提高了无线通信接收器灵敏度

最大工作电压为直流28V，实现大功率音频输出

新型AVRF101U6R8KT242产品扩大了其用于音频设备的贴片压敏电阻产品阵容，并实现了ESD和EMI双重保护。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）