电容器IGBT模块并联的扁平绕组结构设计90°C热点温度
发布时间:2021/4/23 22:12:05 访问次数:342
ModCap采用并联的扁平绕组结构设计,并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。如此一来,一般情况下就无需额外的缓冲电容器,从而能减小空间需求并降低新型逆变器的设计成本。
方形设计使得电容器能靠近IGBT模块安装,有效降低电感,并方便并联连接。通过热建模和电磁建模缩短上市时间。
制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Spartan-3A 系列:XC3S200A 逻辑元件数量:4032 LE 输入/输出端数量:68 I/O 工作电源电压:1 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFP-100 商标:Xilinx 栅极数量:200000 分布式RAM:28 kbit 内嵌式块RAM - EBR:288 kbit 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Spartan 单位重量:13.814 g
该系列电容器采用双轴取向聚丙烯 (BOPP) 作为电介质,可实现一致的90°C热点温度,同时显著增强自愈性。借助仿真软件,TDK还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的热反应,并能评估可能出现的热点位置。
必要时,我们可将评估结果附加在型式认证中。这样能为客户带来极大优势,如无需复杂和冗长的测试和重新设计工作,大幅缩短了产品上市时间,从而赢得明显的竞争优势。
电容器内部的温度分布仿真。最低温度与最高温度之间的温差约为20 K。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
ModCap采用并联的扁平绕组结构设计,并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。如此一来,一般情况下就无需额外的缓冲电容器,从而能减小空间需求并降低新型逆变器的设计成本。
方形设计使得电容器能靠近IGBT模块安装,有效降低电感,并方便并联连接。通过热建模和电磁建模缩短上市时间。
制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Spartan-3A 系列:XC3S200A 逻辑元件数量:4032 LE 输入/输出端数量:68 I/O 工作电源电压:1 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFP-100 商标:Xilinx 栅极数量:200000 分布式RAM:28 kbit 内嵌式块RAM - EBR:288 kbit 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Spartan 单位重量:13.814 g
该系列电容器采用双轴取向聚丙烯 (BOPP) 作为电介质,可实现一致的90°C热点温度,同时显著增强自愈性。借助仿真软件,TDK还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的热反应,并能评估可能出现的热点位置。
必要时,我们可将评估结果附加在型式认证中。这样能为客户带来极大优势,如无需复杂和冗长的测试和重新设计工作,大幅缩短了产品上市时间,从而赢得明显的竞争优势。
电容器内部的温度分布仿真。最低温度与最高温度之间的温差约为20 K。
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