SiPM的高内部增益使其灵敏度可达到单光子水平，该功能与高PDE结合使用，可以检测最微弱的返回信号。因此，即使是低反射目标，也能探测到更远的距离。

SiPM技术近年来发展势头强劲，由于其独特的功能集，已成为广阔市场深度传感应用的首选传感器。SiPM能在明亮的阳光条件下进行长距离测距时提供最佳的信噪比性能。

其他优势包括较低的电源偏置和较低的温度变化敏感性，使其成为使用传统雪崩光电二极管(APD)的系统的理想升级产品。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

零件状态

停產

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9 毫欧 @ 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

78nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2240pF @ 15V

英特尔固态盘670p采用最新的QLC技术，单盘容量最高可达2TB，能够为日常计算和主流游戏提供显著的价值。与上一代英特尔®QLC 3D NAND固态盘相比，670p提供更高的性能，包括2倍顺序读取和20%的耐久性提升。

为满足当今最常见的计算需求，英特尔这款最新的客户端硬盘同时针对低队列深度和混合工作负载进行了调优，实现了性能、成本和功耗的恰当平衡。

英特尔的QLC固态盘基于浮栅技术所打造，数据保持力是这一技术的一大关键性竞争优势。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）