单点飞行时间（Time of flight，ToF）传感器：ND01，已进入批量生产阶段。这也是国内自主研发的首颗可量产单点ToF传感器。

超小尺寸单点ToF传感器，尺寸紧凑，基于飞行时间测距原理，通过内置的VCSEL光源发射近红外光，遇到前方的物体后光线反射，再由ToF接收芯片接收测得光的飞行时间，从而计算出距离信息。

主要用于近距离精准测距，例如扫地机、服务机器人等，用于探测周围物体、墙面或者地面距离，实现避障、沿墙探测、悬崖探测等功能。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 78 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 37 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 43 S

下降时间: 3 nS

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.4 nS

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 16 nS

典型接通延迟时间: 3.3 ns

零件号别名: BSC94NSIXT SP000854384 BSC0904NSIATMA1

单位重量: 101.400 mg

三款新产品的电源电压均在2.7V-5.5V范围内，进一步提高了应用灵活性。宽输入电压容差允许新产品在任何电源电压下检测从-20V至70V的共模电压电流。

新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(TSC2010的两项参数分别为820kHz和7.5V/μs)，确保测量精度高，响应速度快。

三款新产品内部集成EMI滤波器和2kV HBM(人体模型)的ESD防护功能，确保器件抗扰能力强，可在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）