RK2108D支持适配RT－Thread国产操作系统，成熟稳定，并拥有良好的软件生态，便于开发者进行各类应用程序的开发。同时，RK2108D采用LittlevGL UI框架，支持开发者快速将现有UI移植至新产品，有效缩短产品开发设计周期。

智能可穿戴设备进入快速发展期，应用场景正向智能医疗、智能家居、车载、安防等行业领域渗透，呈现出多样化的发展趋势。瑞芯微RK2108D方案的四大优势将有效提升产品性能及交互体验，为行业合作伙伴提供更可靠、更具市场竞争优势的技术支持。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 12 nC, 37 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S, 65 S

下降时间: 2.2 ns, 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.8 ns, 5.4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 15 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 3.3 ns, 3.8 ns

零件号别名: SP000934746 BSC911NDXT BSC0911NDATMA1

单位重量: 101.880 mg

配备灵活配置软件包（FSP）的RA6M4 MCU已通过PSA 2级认证，在RA4和RA6系列MCU获得PSA 1级认证的基础上进一步进行扩展。

瑞萨RA6M3、RA6M4和RA4M2 MCU产品群均已通过“物理和逻辑攻击者”防护认证的SESIP1标准。

RA MCU还通过在Armv8-M的Arm TrustZone®基础上结合经NIST CAVP认证的安全加密引擎，为客户打造先进的物联网安全性。

RA产品家族融合了基于硬件的安全功能，包含从简单的AES加速，到MCU内隔离的全集成加密子系统。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）