Qorvo®新品QPF4516B Wi-Fi 6前端模块 (FEM)。

这是一款高度集成的5mm×3mm FEM产品,设计用于Wi-Fi 6 (802.11ax) 应用，可显著加快无线下载/上传速度、提高数据传输容量、改善人流拥挤场所的无线网络连接质量以及延长物联网 (IoT) 客户端设备的电池续航时间,非常适合用于多种Wi-Fi 6应用，包括无线路由器、客户经营场所设备和无线接入点。

Qorvo QPF4516B FEM集成了一个5.0GHz功率放大器、一个单刀双掷 (SPDT) 开关和一个带旁路的低噪声放大器。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 15.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 62.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 8 S

下降时间: 3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 5 ns

零件号别名: BSC9N2NS3GXT SP000781780 BSC900N20NS3GATMA1

单位重量: 100 mg

新系列微控制器引入了一个创新的自控模式，可以让直接存储访问(DMA)控制器和外围设备在大多数设备休眠时保持正常工作，以节省电能。精细的操作模式控制可以关闭MCU的部分内存，避免给闲置单元供电。

新产品还传承了上一代超低功耗MCU STM32L0，STM32L4和STM32L5的成功的产品特性，包括根据工作负荷优化能耗的动态电压调节和高效读取闪存的ST ART Accelerator™访存加速技术，并且现在，除内存外， ST ART Accelerator的最新功能还允许读取MCU外部闪存。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）