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驱动芯片的输入和输出端的地弹电压和振荡尖峰电压

发布时间:2023/2/7 19:23:28 访问次数:254

ADuM7704 Sigma-Delta调制器。这款高性能的二阶调制器能将模拟输入信号转换为高速、单比特的数据流,并且芯片内置了采用Analog Devices iCoupler®技术的数字隔离功能。

高SNR可以让电流和电压测量更精确,从而提升电机驱动器的性能。

Analog Devices ADuM7704调制器可在4.5V至20V的电源电压范围内运行,并且可接受±50mV(满刻度为±64mV)的伪差分输入信号。

这种伪差分输入非常适合在需要电气隔离的高压应用中用于进行分流电压监控。


制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    30 V

Id-连续漏极电流:    100 A

Rds On-漏源导通电阻:    1.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    1 V

Qg-栅极电荷:    41 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

长度:   5.9 mm

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   5.15 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   65 S

下降时间:   4.6 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   7.2 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   27 ns

典型接通延迟时间:   5 ns

零件号别名:  SP000819818 BSC0901NSIATMA1

单位重量:  101.820 mg

以典型的AC/DC开关电源系统为例,PFC部分采用无桥升压拓扑,可选用一颗NSD1025同时驱动两路开关MOSFET,LLC的原边可用一颗半桥隔离驱动芯片NSi6602同时驱动上下桥臂MOSFET,副边用一颗NSD1025驱动全波同步整流MOSFET。

选用高速高可靠性的驱动IC,可以帮助电源系统提升效率和功率密度。

由于开关电源经常需要硬开关驱动大功率负载,在硬开关以及布局限制的情况下,功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

http://yushuokj.51dzw.com/ 深圳市裕硕科技有限公司


ADuM7704 Sigma-Delta调制器。这款高性能的二阶调制器能将模拟输入信号转换为高速、单比特的数据流,并且芯片内置了采用Analog Devices iCoupler®技术的数字隔离功能。

高SNR可以让电流和电压测量更精确,从而提升电机驱动器的性能。

Analog Devices ADuM7704调制器可在4.5V至20V的电源电压范围内运行,并且可接受±50mV(满刻度为±64mV)的伪差分输入信号。

这种伪差分输入非常适合在需要电气隔离的高压应用中用于进行分流电压监控。


制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    30 V

Id-连续漏极电流:    100 A

Rds On-漏源导通电阻:    1.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    1 V

Qg-栅极电荷:    41 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

长度:   5.9 mm

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   5.15 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   65 S

下降时间:   4.6 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   7.2 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   27 ns

典型接通延迟时间:   5 ns

零件号别名:  SP000819818 BSC0901NSIATMA1

单位重量:  101.820 mg

以典型的AC/DC开关电源系统为例,PFC部分采用无桥升压拓扑,可选用一颗NSD1025同时驱动两路开关MOSFET,LLC的原边可用一颗半桥隔离驱动芯片NSi6602同时驱动上下桥臂MOSFET,副边用一颗NSD1025驱动全波同步整流MOSFET。

选用高速高可靠性的驱动IC,可以帮助电源系统提升效率和功率密度。

由于开关电源经常需要硬开关驱动大功率负载,在硬开关以及布局限制的情况下,功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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