UMT-H表面贴装陶瓷保险丝系列产品质量上乘，目前该系列产品新增添了额定电流为40A和50A的型号，其额定分断能力在125VAC/72VDC时可高达500A。

该系列产品首次提供过流和短路保护功能，且结构紧凑，产品尺寸仅为5.3x16mm。

UMT-H系列保险丝的研发初衷是为尺寸为5x20mm的通孔安装熔丝管提供一个体积更小的替代产品，这种熔丝管通常用于主电路保护。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

6.5 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 250μA

Vgs（最大值）

±25V

FET 功能

功率耗散（最大值）

3.1W（Ta），6.9W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

153nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4620pF @ 15V

基本产品编号

SI4491

功耗和成本驱动较大功率电机：由于集成了关键控制功能，降低系统处理器的计算负荷，同时节省了50%的功率-----可用于更大功率的电机。

容易升级：不同模块采用相同的外形尺寸和引脚排列，易于更换，无需与外部主板重新接线。

采用瑞萨突破性的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide薄氧化埋层覆硅）制程工艺的新型蓝牙RE01B MCU，是需要在极低功率水平下持续运行且无需更换电池的能量采集系统与智能物联网（IoT）设备的理想选择。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）