超低导通电阻产品——WMJ120N60CM，采用常规 TO-247封装的600V高压SJ-MOS，导通电阻Rdson低至16.5mΩ，能够有效提升电源功率密度，解决应用痛点。

在品质因数FOM（Rdson*Qg）方面，WMJ120N60CM达到业界领先水平。

在3.3KW PFC模块电路测试中，WMJ120N60CM和行业某知名厂商的65R019C7效率几乎无差异，甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 对应的输入功耗小了1~4W。

RA6M5产品群的关键特性

运行模式下，仅107μA/MHz超低功耗（以200MHz在闪存运行CoreMark算法时）；唤醒时间30μs

支持TrustZone技术的200MHz主频Arm Cortex-M33内核

包含瑞萨安全加密引擎的完整安全解决方案

100引脚至176引脚的LQFP封装，也可提供176BGA封装

片上集成1MB、1.5MB或2MB闪存；512KB SRAM（包括64KB ECC RAM）

电容式触摸感应单元

闪存后台运行功能（BGO）/闪存块交换功能

CAN FD或CAN接口

带有独立DMA的以太网MAC

全速及高速USB 2.0，无需外接专用晶体

高级模拟工厂，支持两个ADC（模数转换器）单元

QuadSPI和OctaSPI接口

SDHI

由于USB接口是全球通用的，因此有望扩展应用到基础设施上，例如替换不同国家需要转换的AC电源插座，将当前流行的USB插座都USB PD化以及车内安装USB PD端口等。

由于电力供应和通信只需要一根USB type-C电缆就能完成，从减少零部件的角度来看，今后支持USB PD的设备将会增加。