LNK625DG是LinkSwitchTM-CV系列中的产品.器件组合了专有IC调整和E-Shield™变压器结构技术,使得采用LinkSwitch-CV LNK623/4进行无箝位(Clampless™)设计.

LinkSwitch-CV器件提供了极好的交叉调整,以用于多个输出反激应用如DVD和STB.725V功率MOSFET和ON/OFF控制状态机,自偏压,频率抖动,逐个周期的电流限制,滞后的热关断电路也集成在单个器材内.

对于输出短路和所有控制回路故障,自动重起保护降低功耗大于95%.230VAC时无负载损耗小于200mW,当选择外接偏压时损耗可低至70mW.

制造商:Nexperia 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-6 晶体管极性:NPN, PNP 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V 集电极—基极电压 VCBO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:300 mV 最大直流电集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:100 MHz 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:200 高度:1 mm 长度:2.2 mm 技术:Si 宽度:1.35 mm 商标:Nexperia 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 零件号别名:934042530115 单位重量:6 mg

全新的同步直流/直流降压控制器系列，此类器件支持工程师缩减电源解决方案的尺寸并降低其电磁干扰(EMI)。

LM25149-Q1和LM25149采用集成式有源EMI滤波器(AEF)和双随机展频(DRSS)技术，使工程师能够将外部EMI滤波器的面积减半，在多个频带上将电源设计的传导EMI降低多达55 dBμV，或者同时缩减滤波器尺寸和降低EMI。

在这两种设计方案中，DRSS技术都有助于在低频和高频频带上将EMI进一步降低5 dBμV。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）