普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V，而其栅极-源极间额定电压为6V，其电压裕度非常小，只有1V。

一旦超过器件的额定电压，就可能会发生劣化和损坏等可靠性方面的问题，这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制，因此，这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。

针对这种课题，ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。

集成电路（IC）

数据采集 - 模数转换器（ADC）

制造商

Texas Instruments

系列

包装

管件

零件状态

停產

位数

16

采样率（每秒）

40k

输入数

1

输入类型

单端

数据接口

SPI，并联

配置

S/H-ADC

比率 - S/H:ADC

1：1

架构

SAR

参考类型

外部，内部

电压 - 供电，模拟

5V

电压 - 供电，数字

5V

特性

工作温度

-40°C ~ 85°C

封装/外壳

28-DIP（0.300""，7.62mm）

供应商器件封装

28-PDIP

安装类型

通孔

A/D 转换器数

1

基本产品编号

ADS7807

ROHM利用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V，这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。

这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。

这种封装不仅可以通过更低的寄生电感更好地发挥出器件的性能，还使产品更易于在电路板上安装并具有更出色散热性，从而可以使现有硅器件的替换和安装工序中的操作更轻松。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）