交流电变成脉动直流电整流二极管具有明显单向导电性
发布时间:2023/3/25 23:04:15 访问次数:61
16个平行通道和4100多个相关器提供快速的卫星信号捕获以及很短的启动时间。-140dBm的捕获灵敏度以及-155dBm的追踪灵敏度使其即使在恶劣的环境下也具有很好的性能。
THS7319是集成了滤波器的非常低功耗的单电源(2.6V-5V)三路视频放大器.
LT3070是5A低噪音可编输出85mV压降的线性稳压器,具有低压超快UltraFast的瞬态响应特性, 0.01μF旁路电容能降低输出电压噪音到25uVRMS.
1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP电源,ASIC和微处理器电源,服务器和存储设备电源.
具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TISON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 50 A, 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 5.6 nC, 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
高度: 1.15 mm
长度: 6 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S
下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.7 ns, 4.3 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns
零件号别名: SP001075902 BSG0811NDATMA1
单位重量: 230 mg
ADP2114是多功能同步降压开关电源稳压器,它的两个PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A输出,可选择开关频率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高达2MHz,效率高达95%,输入电压从2.7V到5.5V,可选择固定输出电压0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可调输出电压(低至0.6V).
具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.
一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多,小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗整流二极管在μA数量级,当整流二极管温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目也会增加。
整流二整流二极管极管可以利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电,整流二极管具有明显的单向导电性,整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造,硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
16个平行通道和4100多个相关器提供快速的卫星信号捕获以及很短的启动时间。-140dBm的捕获灵敏度以及-155dBm的追踪灵敏度使其即使在恶劣的环境下也具有很好的性能。
THS7319是集成了滤波器的非常低功耗的单电源(2.6V-5V)三路视频放大器.
LT3070是5A低噪音可编输出85mV压降的线性稳压器,具有低压超快UltraFast的瞬态响应特性, 0.01μF旁路电容能降低输出电压噪音到25uVRMS.
1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP电源,ASIC和微处理器电源,服务器和存储设备电源.
具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TISON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 50 A, 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 5.6 nC, 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
高度: 1.15 mm
长度: 6 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S
下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.7 ns, 4.3 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns
零件号别名: SP001075902 BSG0811NDATMA1
单位重量: 230 mg
ADP2114是多功能同步降压开关电源稳压器,它的两个PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A输出,可选择开关频率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高达2MHz,效率高达95%,输入电压从2.7V到5.5V,可选择固定输出电压0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可调输出电压(低至0.6V).
具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.
一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多,小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗整流二极管在μA数量级,当整流二极管温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目也会增加。
整流二整流二极管极管可以利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电,整流二极管具有明显的单向导电性,整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造,硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)