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交流电变成脉动直流电整流二极管具有明显单向导电性

发布时间:2023/3/25 23:04:15 访问次数:61

16个平行通道和4100多个相关器提供快速的卫星信号捕获以及很短的启动时间。-140dBm的捕获灵敏度以及-155dBm的追踪灵敏度使其即使在恶劣的环境下也具有很好的性能。

THS7319是集成了滤波器的非常低功耗的单电源(2.6V-5V)三路视频放大器.

LT3070是5A低噪音可编输出85mV压降的线性稳压器,具有低压超快UltraFast的瞬态响应特性, 0.01μF旁路电容能降低输出电压噪音到25uVRMS.

1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP电源,ASIC和微处理器电源,服务器和存储设备电源.

具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.


制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

长度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S

下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.7 ns, 4.3 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns

零件号别名: SP001075902 BSG0811NDATMA1

单位重量: 230 mg

ADP2114是多功能同步降压开关电源稳压器,它的两个PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A输出,可选择开关频率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高达2MHz,效率高达95%,输入电压从2.7V到5.5V,可选择固定输出电压0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可调输出电压(低至0.6V).

具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.

一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多,小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗整流二极管在μA数量级,当整流二极管温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目也会增加。

整流二整流二极管极管可以利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电,整流二极管具有明显的单向导电性,整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造,硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。



(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


16个平行通道和4100多个相关器提供快速的卫星信号捕获以及很短的启动时间。-140dBm的捕获灵敏度以及-155dBm的追踪灵敏度使其即使在恶劣的环境下也具有很好的性能。

THS7319是集成了滤波器的非常低功耗的单电源(2.6V-5V)三路视频放大器.

LT3070是5A低噪音可编输出85mV压降的线性稳压器,具有低压超快UltraFast的瞬态响应特性, 0.01μF旁路电容能降低输出电压噪音到25uVRMS.

1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP电源,ASIC和微处理器电源,服务器和存储设备电源.

具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.


制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

长度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S

下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.7 ns, 4.3 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns

零件号别名: SP001075902 BSG0811NDATMA1

单位重量: 230 mg

ADP2114是多功能同步降压开关电源稳压器,它的两个PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A输出,可选择开关频率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高达2MHz,效率高达95%,输入电压从2.7V到5.5V,可选择固定输出电压0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可调输出电压(低至0.6V).

具有过流和热过载保护,外币部可编程软起动. ADP2114可用在点负载稳压器,通信和网络系统,消费类电子,工业和仪表测试与医疗.

一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多,小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗整流二极管在μA数量级,当整流二极管温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目也会增加。

整流二整流二极管极管可以利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电,整流二极管具有明显的单向导电性,整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造,硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。



(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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