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每通道有8位效准DAC省去制造过程中用来效准外接电位计

发布时间:2023/6/23 22:24:40 访问次数:96

UBA2021是高压集成电路,能控制和驱动CFL荧光灯,包括有用来驱动外接半桥电路的驱动电路,振荡器和用来起动,预热, 辉弧和保护等功能.而采用UBA2021的13W CFL电子镇流器采用半桥式逆变器作为灯驱动电路,逆变器的正常输入电压为230 V (RMS) ± 15 %, 50 Hz / 60 Hz.

因此,单盘片的存储密度从4.7GB增加到27GB。27GB蓝光盘格式目标应用在PC档案数据存储超密度光学(UDO)驱动和消费类数字视频录像机(DVR),能在120mm的DVD/CD盘片上记录高达两小时的高清晰度电视(HDTV)。

半桥逆变电路的电子镇流器中,脉冲变压器一般均采用环形磁心制作的变压器,为能产生良好的振荡波形,脉冲变压器就需要选取磁滞曲线更接近矩形的材质,从而使变压器在工作时可以在很快的进入与退出饱和状态。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 98 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V

Qg-栅极电荷: 27 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 27 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: SP000917418 BSZ42N6NSXT BSZ042N06NSATMA1

单位重量: 100 mg

EL6900C有突出的性能和节省成本的优点。因为它有两通道取样保持放大器,在寄存器的控制下能编成四个单独的增益,所以提供了片上的实时功率控制。

生产时间和制造成本进一步降低,因为每通道有8位的效准DAC,省去了在制造过程中用来效准的外接电位计。

因为磁心的B-H决定了磁环进入与退出饱和状态的时间,所以,脉冲变压器磁心与初级绕组的圈数及初级绕组的电压对半桥逆变电路的工作频率有着决定性的影响。

每一通道的210MHz时钟速度能达到3X蓝光盘写入性能。闭环自动功率控制(APC)由EL6900C的Islope 和IAPC输入实现。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


UBA2021是高压集成电路,能控制和驱动CFL荧光灯,包括有用来驱动外接半桥电路的驱动电路,振荡器和用来起动,预热, 辉弧和保护等功能.而采用UBA2021的13W CFL电子镇流器采用半桥式逆变器作为灯驱动电路,逆变器的正常输入电压为230 V (RMS) ± 15 %, 50 Hz / 60 Hz.

因此,单盘片的存储密度从4.7GB增加到27GB。27GB蓝光盘格式目标应用在PC档案数据存储超密度光学(UDO)驱动和消费类数字视频录像机(DVR),能在120mm的DVD/CD盘片上记录高达两小时的高清晰度电视(HDTV)。

半桥逆变电路的电子镇流器中,脉冲变压器一般均采用环形磁心制作的变压器,为能产生良好的振荡波形,脉冲变压器就需要选取磁滞曲线更接近矩形的材质,从而使变压器在工作时可以在很快的进入与退出饱和状态。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 98 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V

Qg-栅极电荷: 27 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 27 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: SP000917418 BSZ42N6NSXT BSZ042N06NSATMA1

单位重量: 100 mg

EL6900C有突出的性能和节省成本的优点。因为它有两通道取样保持放大器,在寄存器的控制下能编成四个单独的增益,所以提供了片上的实时功率控制。

生产时间和制造成本进一步降低,因为每通道有8位的效准DAC,省去了在制造过程中用来效准的外接电位计。

因为磁心的B-H决定了磁环进入与退出饱和状态的时间,所以,脉冲变压器磁心与初级绕组的圈数及初级绕组的电压对半桥逆变电路的工作频率有着决定性的影响。

每一通道的210MHz时钟速度能达到3X蓝光盘写入性能。闭环自动功率控制(APC)由EL6900C的Islope 和IAPC输入实现。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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