ICS8442和ICS公司的各种扇出缓冲器，乘法器和除法器一起能实现完整的低抖动低歪斜时钟树。ICS8442的样品是32引脚的LQFP封装(7mmx7mm)。

在速度200Mhz和230mA低的功耗，和同类产品相比，它的带宽提高40%。

由于有这些最新的产品增加到IDT的多端口产品，加强了该公司在高性能方面的应用支持，如存储区域网(SAN)的光通道线路卡，无线通信设备的基站和网络交换中标识查找。

一种速度业界最快，功耗最低的同步四端口器件70V5388/5378。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 45 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 36 S

下降时间: 3.2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 4.6 ns

零件号别名: BSZ58N3LSGXT SP000307424 BSZ058N03LSGATMA1

单位重量: 38.230 mg

IDT的四端口器件有工作在200MHz的高性能的存储器内置自测试(MBIST)，MBIST运行比其它的快三倍，仅需要众多周期的一半。

器件也有改进的热性能和更低的系统功耗。

例如，同样工作在133MHz的条件下，IDT器件的额定功耗为300MA(最大460mA)，其它解决方案的则为350mA(最大700mA)。

IDT的四端口器件有增强型计数器控制和掩模版寄存器功能，是计数器-掩模版操作有最大的灵活性。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）