不同的频率对四个单独的处理器/总线读和写差分LVDS输出
发布时间:2021/4/13 12:46:20 访问次数:689
新的可编程超低抖动/超低相位噪音LVDS时钟合成器ICS8442,它提供成本效率的高性能有广泛应用的LVDS基准时钟,它包括高速串行器/解串行器(SERDES)和网络处理器。
ICS8442的抖动特性如下(典型值):时钟到时钟抖动为15ps,周期抖动(RMS)为3ps.
ICS8442采用晶体振荡器或单端基准时钟(10MHz-25MHz),合成两个差分LVDS输出,其频率范围为25MHz-700MHz。
输出频率可用3线串行接口或用11内部分频器控制引脚高或低电平来进行编程。
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
漏源电压(Vdss)
30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400pF @ 15V
基本产品编号
BSZ058
IDT同步四端口器件,有两种密度:1-Mbit (64Kx18) 和0.5-Mbit (32Kx18),能以不同的频率同时对四个单独的处理器/总线读和写。
器件的速度和结构给设计者提供了空前的数据吞吐量14Gbps(200MHzx18bpsx4端口)。
和其它同类产品不同,IDT的四端口器件在所有的密度和速度都有增强的计数器控制,使用户迁移密度时保持计数器控制功能。
除了272针BGA封装,该产品也有最小的256针BGA封装,是板的面积节省达60%。
新的可编程超低抖动/超低相位噪音LVDS时钟合成器ICS8442,它提供成本效率的高性能有广泛应用的LVDS基准时钟,它包括高速串行器/解串行器(SERDES)和网络处理器。
ICS8442的抖动特性如下(典型值):时钟到时钟抖动为15ps,周期抖动(RMS)为3ps.
ICS8442采用晶体振荡器或单端基准时钟(10MHz-25MHz),合成两个差分LVDS输出,其频率范围为25MHz-700MHz。
输出频率可用3线串行接口或用11内部分频器控制引脚高或低电平来进行编程。
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
漏源电压(Vdss)
30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400pF @ 15V
基本产品编号
BSZ058
IDT同步四端口器件,有两种密度:1-Mbit (64Kx18) 和0.5-Mbit (32Kx18),能以不同的频率同时对四个单独的处理器/总线读和写。
器件的速度和结构给设计者提供了空前的数据吞吐量14Gbps(200MHzx18bpsx4端口)。
和其它同类产品不同,IDT的四端口器件在所有的密度和速度都有增强的计数器控制,使用户迁移密度时保持计数器控制功能。
除了272针BGA封装,该产品也有最小的256针BGA封装,是板的面积节省达60%。