并行ATA存储接口蜂窝式移动电话及处理器的应用
发布时间:2021/4/13 12:36:30 访问次数:597
为了支持迅速采用新产品,串行ATA 1.0产品将全面兼容现有并行ATA协议,并保持与当今操作系统的兼容性。
串行ATA II规范的第二阶段重点在于新一代信令速度,预计于2003年下半年发布。第二阶段产品将于2004年下半年开始部署。
关于串行ATA: 串行ATA是台式机、高成本服务器和网络存储市场中替代并行ATA存储接口的一款革命性产品。该规范可支持更细、更灵活的线缆和更少的针数。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 49 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 34 S
下降时间: 2.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.4 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 2.5 ns
零件号别名: SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1
单位重量: 100 mg

LM26XX 系列磁性转换器可以输出高达 400 mA 的电流,最适用于只需执行一般性工作的大部分蜂窝式移动电话以及处理器的应用。
这系列产品可利用管脚选择 1.8 伏 (V)、1.5 伏、1.3 伏或 1.05 伏等输出电压,因此无需加设外部电压分压器。
为了支持迅速采用新产品,串行ATA 1.0产品将全面兼容现有并行ATA协议,并保持与当今操作系统的兼容性。
串行ATA II规范的第二阶段重点在于新一代信令速度,预计于2003年下半年发布。第二阶段产品将于2004年下半年开始部署。
关于串行ATA: 串行ATA是台式机、高成本服务器和网络存储市场中替代并行ATA存储接口的一款革命性产品。该规范可支持更细、更灵活的线缆和更少的针数。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 49 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 34 S
下降时间: 2.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.4 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 2.5 ns
零件号别名: SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1
单位重量: 100 mg

LM26XX 系列磁性转换器可以输出高达 400 mA 的电流,最适用于只需执行一般性工作的大部分蜂窝式移动电话以及处理器的应用。
这系列产品可利用管脚选择 1.8 伏 (V)、1.5 伏、1.3 伏或 1.05 伏等输出电压,因此无需加设外部电压分压器。