处理器频宽超越3GHz的强大功能以解决EMI问题
发布时间:2021/4/12 19:32:15 访问次数:634
内置了软起动,工作电压为2.5V到6.5V,待机电流小于1uA,可用于数字电视(DTV(,机顶盒(STB),手机和网络电话(VoIP).
FSEZ1216是集成功率MOSFET的初级边PWM控制器,能对低功率反激转换器增强性能.起动电流仅为10uA, 工作电流仅为3.5mA.
FSEZ1216具有恒压(CV)和恒流(CC)控制而不需要次级反馈电路,固定的PWM屏障42kHz,并具有跳频特性,以解决EMI问题.
FSEZ1216可用作手机,无绳电话,PDA,数码相机的电池充电器,替代线性变压器和RCC SMPS.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:1.6 A Rds On-漏源导通电阻:210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:6.4 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:806 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列: 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:2.4 S 下降时间:7.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3 ns 3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:11.1 ns 典型接通延迟时间:1.5 ns 单位重量:8 mg
透过这项优势，消费者将可享受到处理器频宽超越3GHz的强大功能。矽统科技以领导的技术切入这一群体，提供符合市场需求新趋势的高性能产品。
SiSR658是矽统科技采用最近开发成功的新一代Direct RDRAM技术研发出的，成为全球第一颗同时支持4i与16dx2双通道PC1066 RDRAM的芯片组。
更进一步将Rambus内存模组的性能发挥得淋漓尽致，南北桥将彻底达成高性能、低功耗与高度兼容的整体优势。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
内置了软起动,工作电压为2.5V到6.5V,待机电流小于1uA,可用于数字电视(DTV(,机顶盒(STB),手机和网络电话(VoIP).
FSEZ1216是集成功率MOSFET的初级边PWM控制器,能对低功率反激转换器增强性能.起动电流仅为10uA, 工作电流仅为3.5mA.
FSEZ1216具有恒压(CV)和恒流(CC)控制而不需要次级反馈电路,固定的PWM屏障42kHz,并具有跳频特性,以解决EMI问题.
FSEZ1216可用作手机,无绳电话,PDA,数码相机的电池充电器,替代线性变压器和RCC SMPS.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:1.6 A Rds On-漏源导通电阻:210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:6.4 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:806 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列: 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:2.4 S 下降时间:7.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3 ns 3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:11.1 ns 典型接通延迟时间:1.5 ns 单位重量:8 mg
透过这项优势，消费者将可享受到处理器频宽超越3GHz的强大功能。矽统科技以领导的技术切入这一群体，提供符合市场需求新趋势的高性能产品。
SiSR658是矽统科技采用最近开发成功的新一代Direct RDRAM技术研发出的，成为全球第一颗同时支持4i与16dx2双通道PC1066 RDRAM的芯片组。
更进一步将Rambus内存模组的性能发挥得淋漓尽致，南北桥将彻底达成高性能、低功耗与高度兼容的整体优势。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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