BD95513MUV 是在低输出电压(0.7V-5.0V)能提供高输出电流(高达3A)的开关稳压器,输入电压从4.5V到28V. 

BD95513MUV集成了低导通电阻的功率N-MOSFET, 5V线性电压稳压器以及DC/DC转换器控制器,可选择简单轻负载模式(SLLM),静止轻负载模式和强迫连续模式.

BD95513MUV主要用在笔记本电脑,台式计算机,LCD-TV以及数字家用电器设备.ZSTAR3无线传感器参考设计支持数字和模拟加速度计,并能通过RF ZigBee&reg.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    40 V    

Id-连续漏极电流:    114 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2.7 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    45 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    63 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   50 S  

下降时间:   4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   4 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   37 ns  

典型接通延迟时间:   5 ns  

零件号别名:  BSZ028N04LS SP001067016  

单位重量:  36.670 mg

RF调谐器板仅用在较低性能，更紧凑的单变换调谐器的设计。

两个芯片SL2101和ZL10100的性能指标都超过CableLabs的严格的DOCSIS (线缆上数据服务接口指标)1.1OpenCable性能标准。

器件也满足美国FCC(联邦通信委员会)15B EMI(电磁干扰)的要求。高性能SL2101和ZL10100双变换调谐器由参考设计和评估板来支持。

SL2101采用SiGe工艺制作，ZL10100用高速双极工艺制作。两个芯片都采用28引脚的SSOP封装。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）