驱动功率从-3dBm到3dBm适合低边或高边LO注入架构
发布时间:2021/4/11 23:15:51 访问次数:850
MAX19996A是高线性下变换混频器,转换增益为8.7dB,IP3为+24.5dBm,噪音为9.8dB,适用于2GHz到3.9GHz的WCS, LTE, WiMAX™.
和MMDS无线基础设备. MAX19996A的本地振荡(LO)频率从2100-4000MHz,驱动功率从-3dBm到3dBm,很适合于低边或高边LO注入架构.
MAX19996A可用在2.3GHz WCS 基站,2.5GHz WiMAX 和LTE 基站,2.7GHz MMDS 基站与3.5GHz WiMAX 和LTE基站,固定宽带无线接入,无线局域网,私人移动无线电台和军用系统.
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
商标名: OptiMOS
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
零件号别名: BSZ035N03LS G SP000278809
两器件芯片组能提供所有模拟和数字线缆通道很陡峭的接收，从而允许多服务线缆机顶盒(STB)的设计者能缩小调谐器体积50%，降低调谐器的成本多达20%。
为了在一个体积小成本低的盒子提供线缆服务，STB设计者需要紧凑的成本效率调谐器芯片，能可靠地处理线缆通道中所有数字和模拟的全部频谱。
新的线缆RF调谐器芯片组能以很小占位面积和低成本来满足所有线缆服务所提出的要求：从模拟TV到数字应用如PVR(个人视图录像)，互动式游戏，在家采购和线缆电话等。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MAX19996A是高线性下变换混频器,转换增益为8.7dB,IP3为+24.5dBm,噪音为9.8dB,适用于2GHz到3.9GHz的WCS, LTE, WiMAX™.
和MMDS无线基础设备. MAX19996A的本地振荡(LO)频率从2100-4000MHz,驱动功率从-3dBm到3dBm,很适合于低边或高边LO注入架构.
MAX19996A可用在2.3GHz WCS 基站,2.5GHz WiMAX 和LTE 基站,2.7GHz MMDS 基站与3.5GHz WiMAX 和LTE基站,固定宽带无线接入,无线局域网,私人移动无线电台和军用系统.
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
商标名: OptiMOS
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
零件号别名: BSZ035N03LS G SP000278809
两器件芯片组能提供所有模拟和数字线缆通道很陡峭的接收，从而允许多服务线缆机顶盒(STB)的设计者能缩小调谐器体积50%，降低调谐器的成本多达20%。
为了在一个体积小成本低的盒子提供线缆服务，STB设计者需要紧凑的成本效率调谐器芯片，能可靠地处理线缆通道中所有数字和模拟的全部频谱。
新的线缆RF调谐器芯片组能以很小占位面积和低成本来满足所有线缆服务所提出的要求：从模拟TV到数字应用如PVR(个人视图录像)，互动式游戏，在家采购和线缆电话等。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
公网安备44030402000607
