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通过载流子扩散和复合实现基极电流对集电极电流的控制

发布时间:2023/3/21 23:01:06 访问次数:184

产品的输入电压范围从3.6到15V,单或双输出电压高达±12 kV,输出功率高达1W,固定或遥控调整到正常值的-30%,调整精度优于1%。

六个独立的16位模数转换器(ADC)的器件ADS8364。

这种高性能的器件允许有高信号吞吐量和能同时进行取样,可用在马达控制,多轴定位,功率监视和光互联网设备。

极管实际就是把两个二极管同极相连,它是电流控制元件,利用基区窄小的特殊结构,通过载流子的扩散和复合,实现了基极电流对集电极电流的控制,使三极管有更强的控制能力,按照内部结构来区分,可以把三极管分为PNP管和NPN管,两只管按照一定的方式连接起来,就可以组成对管,具有更强的工作能力,如果按照三极管的功耗来区别,可以把它们分为小功率三极管,中功率三极管,大功率三极管等。

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    PG-TSDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    40 V

Id-连续漏极电流:    105 A

Rds On-漏源导通电阻:    4.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V

Qg-栅极电荷:    48 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.1 mm

长度:   3.3 mm

系列:   OptiMOS 3

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   3.3 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   40 S

下降时间:   5.4 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   4.8 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   33 ns

典型接通延迟时间:   8.5 ns

零件号别名:  BSZ4N4LSGXT SP000388295 BSZ040N04LSGATMA1

单位重量:  120 mg

目标应用包括PDA,智能手机,MP3播放器,无线手持,互联网设备,数码静止相机,全球定位系统和手提数字仪器。

紧凑的MLP封装改善了热特性,使bqTiny出IC适合用来管理锂离子和锂聚合物电池充电器,其充电电流可高达1A,使电池盒能更快地再充电。

TI的bqTiny充电管理IC采用三相充电算法。这种算法有预充电状况,恒流和准确的恒压状况。

它降低了充电时间,提升了总的充电质量,但输入电压关闭时降低了电池的漏电。

这种高度集成的MPU,有内置的USB控制器,NAND闪存接口和彩色LCD控制器。

三极管是两个PN结共居于一块半导体材料上,因为每个半导体三极管都有两个PN结,所以又称为双极结晶体管。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司

产品的输入电压范围从3.6到15V,单或双输出电压高达±12 kV,输出功率高达1W,固定或遥控调整到正常值的-30%,调整精度优于1%。

六个独立的16位模数转换器(ADC)的器件ADS8364。

这种高性能的器件允许有高信号吞吐量和能同时进行取样,可用在马达控制,多轴定位,功率监视和光互联网设备。

极管实际就是把两个二极管同极相连,它是电流控制元件,利用基区窄小的特殊结构,通过载流子的扩散和复合,实现了基极电流对集电极电流的控制,使三极管有更强的控制能力,按照内部结构来区分,可以把三极管分为PNP管和NPN管,两只管按照一定的方式连接起来,就可以组成对管,具有更强的工作能力,如果按照三极管的功耗来区别,可以把它们分为小功率三极管,中功率三极管,大功率三极管等。

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    PG-TSDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    40 V

Id-连续漏极电流:    105 A

Rds On-漏源导通电阻:    4.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V

Qg-栅极电荷:    48 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.1 mm

长度:   3.3 mm

系列:   OptiMOS 3

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   3.3 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   40 S

下降时间:   5.4 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   4.8 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   33 ns

典型接通延迟时间:   8.5 ns

零件号别名:  BSZ4N4LSGXT SP000388295 BSZ040N04LSGATMA1

单位重量:  120 mg

目标应用包括PDA,智能手机,MP3播放器,无线手持,互联网设备,数码静止相机,全球定位系统和手提数字仪器。

紧凑的MLP封装改善了热特性,使bqTiny出IC适合用来管理锂离子和锂聚合物电池充电器,其充电电流可高达1A,使电池盒能更快地再充电。

TI的bqTiny充电管理IC采用三相充电算法。这种算法有预充电状况,恒流和准确的恒压状况。

它降低了充电时间,提升了总的充电质量,但输入电压关闭时降低了电池的漏电。

这种高度集成的MPU,有内置的USB控制器,NAND闪存接口和彩色LCD控制器。

三极管是两个PN结共居于一块半导体材料上,因为每个半导体三极管都有两个PN结,所以又称为双极结晶体管。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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