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双N沟和双P沟的20V MOSFET在计算机/EDP通信

发布时间:2021/4/11 18:18:27 访问次数:324

四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装,其漏极是共用的。

BGA封装具有小的占位面积(10平方mm),很小的体积(最大安装高度0.8mm),极好的导通电阻和杰出的热性能,这进一步又减少散热片的尺寸。

这种双N沟和双P沟的20V MOSFET还可用在计算机/EDP,通信,手提,工业设备和无线通信产品如手机,PDA,MP3播放器和手提POS终端。

这种先进的无底封装有以下的优点:

由于降低了芯片温度,可靠性和效率都更好

由于更低封装热阻,效率更高

每PCB面积有更高的电流能力

由于更低的封装电感和更低的栅电阻,降低开关时间

标准的SO-8封装,占位和出脚都兼容。

TLV320AIC3254是低压低功耗立体声音频CODEC器件,具有可编程的输入和输出.

 TLV320AIC3254集成了PowerTune功能,全编程的miniDSP,固定的预定夷和参数化信号处理区块,PLL,LDO和灵活的数字接口. 

TLV320AIC3254中的立体声音频DAC具有100dB的SNR, 4.1mW 立体声 48ksps DAC,立体声音频ADC具有93dB SNR和6.1mW 立体声 48ksps ADC 录音.

可广泛用于手提导航系统(PND),PMP,手机,通信和手提计算,回声消除(AEC)和噪音消除及高档DSP算法.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装,其漏极是共用的。

BGA封装具有小的占位面积(10平方mm),很小的体积(最大安装高度0.8mm),极好的导通电阻和杰出的热性能,这进一步又减少散热片的尺寸。

这种双N沟和双P沟的20V MOSFET还可用在计算机/EDP,通信,手提,工业设备和无线通信产品如手机,PDA,MP3播放器和手提POS终端。

这种先进的无底封装有以下的优点:

由于降低了芯片温度,可靠性和效率都更好

由于更低封装热阻,效率更高

每PCB面积有更高的电流能力

由于更低的封装电感和更低的栅电阻,降低开关时间

标准的SO-8封装,占位和出脚都兼容。

TLV320AIC3254是低压低功耗立体声音频CODEC器件,具有可编程的输入和输出.

 TLV320AIC3254集成了PowerTune功能,全编程的miniDSP,固定的预定夷和参数化信号处理区块,PLL,LDO和灵活的数字接口. 

TLV320AIC3254中的立体声音频DAC具有100dB的SNR, 4.1mW 立体声 48ksps DAC,立体声音频ADC具有93dB SNR和6.1mW 立体声 48ksps ADC 录音.

可广泛用于手提导航系统(PND),PMP,手机,通信和手提计算,回声消除(AEC)和噪音消除及高档DSP算法.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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