全硅的5V的14引脚TSSOP封装的10节延时线DS1110
发布时间:2021/4/11 18:05:50 访问次数:319
全硅的5V的14引脚TSSOP封装的10节延时线DS1110,尺寸比其它同类产品小70%。
该器件采用新一代的工艺,校准性能得到改善,比其它产品的延时精度高出两倍,而抖动则降低80%。
10节同等尺寸的产品,提供输入脉冲宽度10倍的延时,而保持延时的精度。每节的延时为10-50ns,总延时高达500ns, 在前沿和后沿都能达到同样的精度。
DS1110L的工作电压为3V,14引脚DIP和16引脚SOP封装。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 149 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 44 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 70 S
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 5.4 ns
零件号别名: BSZ019N03LS SP000792362
单位重量: 120 mg
Zarlink最新的VEC芯片满足了客户对于可经济地提供电信级语音质量的高密度回声消除器件的要求。成品器件可使设备供应商的产品设计速度比采用基于DSP(数字信号处理器)的设计方式更快。
其它供应商的VEC器件最多可消除32个通道的回声,这一容量还不到Zarlink公司288-通道 ZL50212 和 256-通道 ZL50211器件容量的15%。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
全硅的5V的14引脚TSSOP封装的10节延时线DS1110,尺寸比其它同类产品小70%。
该器件采用新一代的工艺,校准性能得到改善,比其它产品的延时精度高出两倍,而抖动则降低80%。
10节同等尺寸的产品,提供输入脉冲宽度10倍的延时,而保持延时的精度。每节的延时为10-50ns,总延时高达500ns, 在前沿和后沿都能达到同样的精度。
DS1110L的工作电压为3V,14引脚DIP和16引脚SOP封装。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 149 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 44 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 70 S
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 5.4 ns
零件号别名: BSZ019N03LS SP000792362
单位重量: 120 mg
Zarlink最新的VEC芯片满足了客户对于可经济地提供电信级语音质量的高密度回声消除器件的要求。成品器件可使设备供应商的产品设计速度比采用基于DSP(数字信号处理器)的设计方式更快。
其它供应商的VEC器件最多可消除32个通道的回声,这一容量还不到Zarlink公司288-通道 ZL50212 和 256-通道 ZL50211器件容量的15%。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)