电压开关(ZVS)技术大幅降低MOSFET和整流器的开关损耗
发布时间:2021/4/10 17:30:22 访问次数:815
单片1G位AND闪存，其写入速度达到每秒10M字节。
根据其专有的辅助栅AND型(AG-AND)多层单元的闪存技术，HN29V1G91存储器芯片能在大约13秒内记录128M字节的数据，相当于两小时CD质量的MP3音乐。
它也适用于高档数码相机，以产生高分辨率的图像大文件和提供活动图像。
HN29V1G91的其它应用包括手机和有无线功能的PDA，能接收宽带发送的图像以及工业应用的高性能固态数据设备。
制造商:Infineon 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V 集电极—基极电压 VCBO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 最大直流电集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:330 mW 增益带宽产品fT:250 MHz 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 高度:1 mm 长度:2.9 mm 技术:Si 宽度:1.3 mm 商标:Infineon Technologies 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 子类别:Transistors 单位重量:1.438 g
TI公司的SLK2504 SONET/SDH收发器把16通道622Mbps数据合并成四个独立的OC-48通道，两个冗余的OC-48通道，或一个OC-192通道。
和光互联论坛(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光标准兼容，该器件用0.18微米CMOS工艺，以达到成本效率的集成度和低功耗。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
单片1G位AND闪存，其写入速度达到每秒10M字节。
根据其专有的辅助栅AND型(AG-AND)多层单元的闪存技术，HN29V1G91存储器芯片能在大约13秒内记录128M字节的数据，相当于两小时CD质量的MP3音乐。
它也适用于高档数码相机，以产生高分辨率的图像大文件和提供活动图像。
HN29V1G91的其它应用包括手机和有无线功能的PDA，能接收宽带发送的图像以及工业应用的高性能固态数据设备。
制造商:Infineon 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V 集电极—基极电压 VCBO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 最大直流电集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:330 mW 增益带宽产品fT:250 MHz 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 高度:1 mm 长度:2.9 mm 技术:Si 宽度:1.3 mm 商标:Infineon Technologies 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 子类别:Transistors 单位重量:1.438 g
TI公司的SLK2504 SONET/SDH收发器把16通道622Mbps数据合并成四个独立的OC-48通道，两个冗余的OC-48通道，或一个OC-192通道。
和光互联论坛(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光标准兼容，该器件用0.18微米CMOS工艺，以达到成本效率的集成度和低功耗。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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