高温环境中使用NCW AT系列电阻，且不影响额定功率或电气性能。

在大量现代专业功率电子领域，功率耗散、可靠性、稳定性和强健性设计是主要考虑因素，新款电阻是这类应用的理想选择。

典型应用包括DC/DC转换器、LED驱动器，DC电流监控和电池管理系统。

SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    P-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 25 V, + 25 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    3.1 V    

Qg-栅极电荷:    57.5 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS P3  

晶体管类型:   1 P-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   30 S  

下降时间:   8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   46 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   35 ns  

典型接通延迟时间:   16 ns  

零件号别名:  SP000473024 BSZ86P3NS3GXT BSZ086P03NS3GATMA1  

单位重量:  100 mg  

Z-Wave 700调制解调器(Modem) SoC,具有极好的无线电灵敏度,从而提高了Z-Wave网状网络的距离.该器件提供业界一流的低功耗Gecko技术,是网关和控制器的理想解决方案,特别是智能家居应用如智能家庭网关,智能扬声器,机顶盒(STB),U盘等等.

该低功耗无线系统级芯片(SoC)基于高性能32位39 MHz ARM Cortex®-M4h核和DSP指令与浮点单元,具有高效信号处理.亚GHz无线电工作,发送功率高达14dBm,其高性能接收器在100 kbit/s GFSK, 868 MHz的灵敏度为-98.6 dBm.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）