全新IC具备自校准死区时间（SADT）以防止直通击穿，提供可调节前置驱动器输出电流容量（高达500mA）以驱动大容量MOSFET，从而使散热设计更简单。

这使得IC可在最佳开关时序驱动MOSFET——与传统系统相比，将FET开关裕量时间缩短至约1/10，减少发热，从而实现高效电机驱动控制。

无线设备为用户提供诸多便利，随着电机设备的普及，电动工具逐渐摆脱线缆束缚，在充分考虑尺寸和成本限制的同时，对能够提供更高输出水平、长期运行且高安全性的电机控制解决方案提出更大需求。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PG-TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    40 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    14.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V    

Qg-栅极电荷:    18 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    35 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   24 S  

下降时间:   2.8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   2.4 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   16 ns  

典型接通延迟时间:   3.5 ns  

零件号别名:  BSZ97N4LSGXT SP000388296 BSZ097N04LSGATMA1  

单位重量:  280 mg

与同类解决方案相比，全新RAJ306001和RAJ306010电机驱动IC将多种功能整合至同一SiP解决方案，实现更好的低速或高速旋转与高扭矩控制，同时最大限度减少占板面积并降低成本，从而为简单、高效且安全的BLDC电机控制提供交钥匙解决方案。

RAJ306001和RAJ306010是单封装电机控制IC，可控制广泛应用于各类电池供电设备中的三相BLDC电机。全新IC将RL78/G1F微控制器（MCU）和前置驱动器集成至8mmx8mmQFN封装中。

高度集成的SiP可为客户精减30多个外部元件，使解决方案面积缩小50%，降低控制系统成本。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）