nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。

在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。

英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 22 S

开发套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

下降时间: 5.3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 5.7 ns

零件号别名: BSZ096N10LS5 SP001352994

单位重量: 120 mg

67系列耐高压PCB继电器推出了新款1C型转换继电器，这一新设计既节省了空间，又简化了设计。

高压信号需要路由到交替点、极性反转、电容器充电或放电，高压转换继电器（SPDT/C型）将是理想的解决方案。

对于上述应用，通常使用两个常开（SPST/A型）高压继电器，确保其中任何一个开关在闭合前另一个开关总是先断开。

相比于用一个继电器的方案，用两个继电器就需要两倍的PCB空间，而且容易造成复杂的驱动问题。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）