CIPOS Maxi IPM集成6通道1200V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器
发布时间:2021/4/5 10:03:16 访问次数:312
变速驱动应用中的三相交流电动机和永磁电动机提供了一种紧凑的变频解决方案,具有出色的导热性能和广泛的开关速度。
具体应用包括工业电机驱动器、泵驱动器和用于暖通空调(HVAC)的有源滤波器。
CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET,以提高系统可靠性,优化PCB尺寸和系统成本。
这个新的家族成员采用DIP 36x23D封装。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 6.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 36 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 20 S
下降时间: 2.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.7 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.8 ns
典型接通延迟时间: 4.3 ns
零件号别名: BSZ099N06LS5 SP001352990
单位重量: 35.400 mg
三相范围内的工业应用控制柜中的空间很少。
SCHURTER通过另一种完整的滤波器重新设计解决了这个问题,该设计比前几代产品更加紧凑。新的,几乎是长方体的设计可以最佳利用外壳中的空间。
得益于双级滤波器和使用最高质量的组件(尺寸较大的薄膜电容器,具有高渗透性的磁芯的扼流圈),这项新技术的出众之处在于出色的宽带滤波器衰减。
变速驱动应用中的三相交流电动机和永磁电动机提供了一种紧凑的变频解决方案,具有出色的导热性能和广泛的开关速度。
具体应用包括工业电机驱动器、泵驱动器和用于暖通空调(HVAC)的有源滤波器。
CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET,以提高系统可靠性,优化PCB尺寸和系统成本。
这个新的家族成员采用DIP 36x23D封装。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 6.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 36 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 20 S
下降时间: 2.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.7 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.8 ns
典型接通延迟时间: 4.3 ns
零件号别名: BSZ099N06LS5 SP001352990
单位重量: 35.400 mg
三相范围内的工业应用控制柜中的空间很少。
SCHURTER通过另一种完整的滤波器重新设计解决了这个问题,该设计比前几代产品更加紧凑。新的,几乎是长方体的设计可以最佳利用外壳中的空间。
得益于双级滤波器和使用最高质量的组件(尺寸较大的薄膜电容器,具有高渗透性的磁芯的扼流圈),这项新技术的出众之处在于出色的宽带滤波器衰减。