导通和开关损耗降低检测温度探头的类型(TC或PT)
发布时间:2021/4/4 16:04:48 访问次数:645
最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。
制造商:Power Integrations 产品种类:交流/直流转换器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8C 输出电压:85 V to 265 V 输出功率:11 W 输入/电源电压—最小值:85 V 输入/电源电压—最大值:265 V 占空比 - 最大:67 % 工作电源电流:400 uA 封装:Tube 输出端数量:1 Output 类型:Off Line Converter 商标:Power Integrations 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量100 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:2 g
如果必须将TS +集成到现有设备中或替换现有传感器，则可以选择不同的IO-Link过程数据配置文件，从而无需在控制器中进行繁琐的修改即可快速调整设备。
两类传感器型号，用于较大量程范围,TS+系列温度传感器通常用于机械制造和工厂产线以及过程工业中。紧凑型TS700设备的工作温度范围为-50至+150℃。
根据所连接的温度探头，TS720处理和显示单元甚至可以覆盖-200至1800℃的温度范围。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。
制造商:Power Integrations 产品种类:交流/直流转换器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8C 输出电压:85 V to 265 V 输出功率:11 W 输入/电源电压—最小值:85 V 输入/电源电压—最大值:265 V 占空比 - 最大:67 % 工作电源电流:400 uA 封装:Tube 输出端数量:1 Output 类型:Off Line Converter 商标:Power Integrations 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量100 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:2 g
如果必须将TS +集成到现有设备中或替换现有传感器，则可以选择不同的IO-Link过程数据配置文件，从而无需在控制器中进行繁琐的修改即可快速调整设备。
两类传感器型号，用于较大量程范围,TS+系列温度传感器通常用于机械制造和工厂产线以及过程工业中。紧凑型TS700设备的工作温度范围为-50至+150℃。
根据所连接的温度探头，TS720处理和显示单元甚至可以覆盖-200至1800℃的温度范围。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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