单个PWM信号控制开关管LDO稳压器关闭的低功耗
发布时间:2021/4/4 14:59:21 访问次数:513
集成的比较器配合外部电阻可以检测电流,MOSFET漏源电压监视功能可以实现短路保护。
内部基本安全功能包括内部产生的防止交叉导通的死区时间、过热关机功能,以及防止MOSFET在低效率或危险条件下工作的高低边欠压锁定(UVLO)。
DT/ MODE选择引脚让设计人员可以选择使用单独的高边和低边信号或单个PWM信号控制开关管,并启用输入。
待机引脚可使STDRIVE101进入LDO稳压器关闭的低功耗模式,在空闲时最大程度地节省电能。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 系列: 存储容量:64 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流(最大值):10 mA 接口类型:Parallel 组织:8 M x 8/4 M x 16 数据总线宽度:8 bit/16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:70 ns 结构:Block Erase 商标:STMicroelectronics 电源电流—最大值:10 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 96 子类别:Memory & Data Storage
电池续航时间增长为4小时,便于用户更专注工作;
IP54级防护封装,提供高水平的防尘和防水保护,可承受2米跌落;
3.5英寸超大触摸屏,搭配LED照明灯,轻松看清黑暗和难以触及的地方。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
集成的比较器配合外部电阻可以检测电流,MOSFET漏源电压监视功能可以实现短路保护。
内部基本安全功能包括内部产生的防止交叉导通的死区时间、过热关机功能,以及防止MOSFET在低效率或危险条件下工作的高低边欠压锁定(UVLO)。
DT/ MODE选择引脚让设计人员可以选择使用单独的高边和低边信号或单个PWM信号控制开关管,并启用输入。
待机引脚可使STDRIVE101进入LDO稳压器关闭的低功耗模式,在空闲时最大程度地节省电能。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 系列: 存储容量:64 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流(最大值):10 mA 接口类型:Parallel 组织:8 M x 8/4 M x 16 数据总线宽度:8 bit/16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:70 ns 结构:Block Erase 商标:STMicroelectronics 电源电流—最大值:10 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 96 子类别:Memory & Data Storage
电池续航时间增长为4小时,便于用户更专注工作;
IP54级防护封装,提供高水平的防尘和防水保护,可承受2米跌落;
3.5英寸超大触摸屏,搭配LED照明灯,轻松看清黑暗和难以触及的地方。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)