子板具有两种功率级别：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。

RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。

四个评估套件包括：100V驱动器GaN DC / DC功率级模块；以及650 V，150 A半桥智能电源模块（IPM）; 650 V，150 A全桥模块和驱动器以及650 V，300 A三相模块和驱动器。

这些产品包括牵引逆变器，工业电动机，储能系统，光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。

制造商:Renesas Electronics 产品种类:模拟开关 IC RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-16 Narrow 通道数量:4 Channel 配置:4 x SPST 导通电阻—最大值:85 Ohms 电源电压-最小:5 V 电源电压-最大:34 V 最小双重电源电压:+/- 5 V 最大双重电源电压:+/- 22 V 运行时间—最大值:250 ns 空闲时间—最大值:210 ns 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列:DG442 封装:Tube 高度:0 mm 长度:9.9 mm 电源类型:Single Supply, Dual Supply 宽度:3.9 mm 商标:Renesas / Intersil 电源电流—最大值:100 uA 湿度敏感性:Yes 产品类型:Analog Switch ICs 工厂包装数量:48 子类别:Switch ICs 开关直流:30 mA 单位重量:140 mg

1-Wire接口通过单个引脚实现供电和数据通信，仅要求包括接地在内的2条连线。

较少的接口引脚通过最少的电缆线束将ECU连接到远端，从而有效降低成本，进一步提高可靠性。DS28E40采用小尺寸、4mmx3mm TDFN封装，工作在-40°C至+125°C温度范围。

更高可靠性专用功能减少代码开发工作量；1-Wire接口将引脚数量从6个减至2个。

易于系统集成IC内置安全算法，无需器件级代码开发；1-wire接口和主机侧极低的软件开销，有效简化系统整合，不需要外部电源。