电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。

可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高。

电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠。

还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。

制造商:Vishay 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:30 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-213AB-2 Pd-功率耗散:1 W 电压容差:5 % 电压温度系数:- 齐纳电流:5 uA Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms 最大工作温度:+ 175 C 配置:Single 测试电流:8.5 mA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直径:2.6 mm 长度:5.2 mm 端接类型:SMD/SMT 商标:Vishay Semiconductors Ir - 反向电流 :5 uA 产品类型:Zener Diodes 1500 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:180 mg

功能包括在2 MHz fSW时的集成VGS调节和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可调阈值的可编程过流保护以及差分电流检测以及可编程的源电流，用于可调的开启压摆率（0.3A，0.75A，或2A）。

GS-EVB-HB-66508B-RN 650-V 30-A GaN半桥和GS-EVB-HB-66516T-RN 650-V 60-A GaN半桥演示板均带有RAA226110栅极驱动器。

评估套件包括两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器，隔离式电源和可选的散热器。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）