SD Express存储卡，采用高速PCIe 3.0接口，标志着存储卡技术的革新。

未来我们可以将雷克沙SD Express存储卡应用于超高分辨率的内容存储，如摄影摄像设备、PC电脑、影视应用及汽车存储等，为用户带来更高性能的存储体验。

因其结构性优势，SD Express存储卡与目前市场上数十亿的SD主机设备兼容，让消费者与SD Express存储卡真正做到无缝衔接。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 11 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 27 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 49 S

下降时间: 2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 13 ns

典型接通延迟时间: 2.3 ns

零件号别名: BSZ0506NS SP001281636

单位重量: 34.370 mg

VCSEL模块

搭载了4个VCSEL，实现了行业顶级的20W输出和高速响应，

最适合用于在宽阔检测范围内进行长距离测量的工业设备等。

堆叠结构VCSEL组件

新开发的驱动程序和VCSEL采用堆叠结构使之小型化，实现进一步的高速响应和高输出功率。

内置保护电路（电流、电压、温度），最适合所有TOF方式。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）