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输出用电容(CL)的充电电荷放电线性的相位差方式

发布时间:2021/4/2 13:30:18 访问次数:332

Lexar雷克沙SD Express存储卡,高分辨率、高码流影像资料存储要求的不断提高,雷克沙SD Express应运而生,通过功能上的革命性升级,为消费者打开一个全新的影像存储新时代.

Lexar雷克沙SD Express存储卡推出SD Express和microSD Express两种形态,其中SD Express最高容量可达512GB,microSD Express最高容量可达256GB,实测读取速度为824MB/s,写入速度为410MB/s [1],预计将于2021年第二季度陆续推出。

目前Lexar雷克沙已与相关主机设备原厂合作导入中。

产品主要特长:

2in1/3in1 VCSEL封装

2in1:通过将switchingFET※2和VCSEL集成在一起实现了高速响应,最适合于要求高速响应和

线性的相位差方式TOF※3

3in1:2in1中还加入内置电容器,实现了以往产品1.6倍的高输出功率,最适合于要求短脉冲高功

率输出的直接方式TOF等

XC6228系列是实现了高精度,低噪声,高纹波抑制,低压差和低消耗电流的高速LDO电压调整器。

本IC由基准电压源、误差放大器、驱动晶体管、电流限定电路、相位补偿、电路浪涌电流防止电路等构成。

从CE端子输入低电平能使IC成待机状态。此外,在待机状态时,能用VOUT端子-VSS端子之间的内部开关使稳定输出用电容(CL)的充电电荷放电。此功能可以使VOUT端子迅速地返回VSS电平。

稳定输出用电容(CL)能与陶瓷电容等低ESR电容相对应。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Lexar雷克沙SD Express存储卡,高分辨率、高码流影像资料存储要求的不断提高,雷克沙SD Express应运而生,通过功能上的革命性升级,为消费者打开一个全新的影像存储新时代.

Lexar雷克沙SD Express存储卡推出SD Express和microSD Express两种形态,其中SD Express最高容量可达512GB,microSD Express最高容量可达256GB,实测读取速度为824MB/s,写入速度为410MB/s [1],预计将于2021年第二季度陆续推出。

目前Lexar雷克沙已与相关主机设备原厂合作导入中。

产品主要特长:

2in1/3in1 VCSEL封装

2in1:通过将switchingFET※2和VCSEL集成在一起实现了高速响应,最适合于要求高速响应和

线性的相位差方式TOF※3

3in1:2in1中还加入内置电容器,实现了以往产品1.6倍的高输出功率,最适合于要求短脉冲高功

率输出的直接方式TOF等

XC6228系列是实现了高精度,低噪声,高纹波抑制,低压差和低消耗电流的高速LDO电压调整器。

本IC由基准电压源、误差放大器、驱动晶体管、电流限定电路、相位补偿、电路浪涌电流防止电路等构成。

从CE端子输入低电平能使IC成待机状态。此外,在待机状态时,能用VOUT端子-VSS端子之间的内部开关使稳定输出用电容(CL)的充电电荷放电。此功能可以使VOUT端子迅速地返回VSS电平。

稳定输出用电容(CL)能与陶瓷电容等低ESR电容相对应。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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