“S-5701 B系列”表面贴装隧道磁阻(TMR)传感器IC，这款磁传感器IC具有超低电流消耗、高磁灵敏度、长寿命的特点，工作电流消耗仅为160nA。

“S-5701 B系列”是一种TMR传感器IC。

然而，与各向异性磁阻(AMR)或巨磁阻(GMR)传感器IC等其他MR传感器IC不同，它具有高灵敏度和超低电流消耗(160nA)的 特点，使其成为一款解决传统磁簧开关局限性的创新产品。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 5.1 A, 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms, 95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V, 1 V

Qg-栅极电荷: 700 pC, 590 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

晶体管类型: 1 P-Channel, 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 4 S, 5.5 S

下降时间: 4.7 ns, 1.4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2 ns, 3.7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 11.3 ns, 12.2 ns

典型接通延迟时间: 7.4 ns, 4.9 ns

零件号别名: BSZ215C H SP001277210

单位重量: 32.540 mg

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