传感器具备sub-LVDS 数据接口BLDC电机控制解决方案
发布时间:2021/4/1 19:42:32 访问次数:684
IPS2550作为瑞萨电感式位置感测产品阵容的最新成员，加入到了公司强大的车载应用产品组合中，包括MCU、片上系统（SoC）、模拟和电源管理，以提供全面的解决方案。
CSG14K的宽高比为1：1，适用于29mm x 29mm C型接口工业摄像头。
IPS2550作为瑞萨“成功产品组合”中BLDC电机控制解决方案的一部分，可助力客户进一步加快设计速度，缩短产品上市时间。
“成功产品组合”涵盖了瑞萨丰富的模拟+电源+嵌入式处理（MCU和SoC）产品。
制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.9 ARds On-漏源导通电阻:216 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:7.7 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:3.3 W通道模式:Enhancement商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:1.1 mm长度:3.05 mm系列:晶体管类型:1 P-Channel宽度:1.65 mm商标:Vishay Semiconductors正向跨导 - 最小值:4 S下降时间:10 ns产品类型:MOSFET上升时间:12 ns3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:18 ns典型接通延迟时间:5 ns零件号别名:SI3459BDV-T1-BE3 SI3459BDV-GE3单位重量:20 mg
全新像素技术而设计的首批产品，该设计令人称道的是其低噪声和高灵敏度，以及高动态范围和在HDR模式下操作传感器的能力。
凭借这些特性，CSG14K和CSG8K全局快门传感器即使在昏暗光线下工作，也能生成清晰细腻的图像。
传感器具备sub-LVDS 数据接口，这一点与艾迈斯半导体的CMV系列图像传感器类似。两款传感器均采用20mm x 22mm LGA封装，具有相同的尺寸和引脚排列，并且软件兼容。
CSG14K和CSG8K传感器现已开始供样。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
IPS2550作为瑞萨电感式位置感测产品阵容的最新成员，加入到了公司强大的车载应用产品组合中，包括MCU、片上系统（SoC）、模拟和电源管理，以提供全面的解决方案。
CSG14K的宽高比为1：1，适用于29mm x 29mm C型接口工业摄像头。
IPS2550作为瑞萨“成功产品组合”中BLDC电机控制解决方案的一部分，可助力客户进一步加快设计速度，缩短产品上市时间。
“成功产品组合”涵盖了瑞萨丰富的模拟+电源+嵌入式处理（MCU和SoC）产品。
制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.9 ARds On-漏源导通电阻:216 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:7.7 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:3.3 W通道模式:Enhancement商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:1.1 mm长度:3.05 mm系列:晶体管类型:1 P-Channel宽度:1.65 mm商标:Vishay Semiconductors正向跨导 - 最小值:4 S下降时间:10 ns产品类型:MOSFET上升时间:12 ns3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:18 ns典型接通延迟时间:5 ns零件号别名:SI3459BDV-T1-BE3 SI3459BDV-GE3单位重量:20 mg
全新像素技术而设计的首批产品，该设计令人称道的是其低噪声和高灵敏度，以及高动态范围和在HDR模式下操作传感器的能力。
凭借这些特性，CSG14K和CSG8K全局快门传感器即使在昏暗光线下工作，也能生成清晰细腻的图像。
传感器具备sub-LVDS 数据接口，这一点与艾迈斯半导体的CMV系列图像传感器类似。两款传感器均采用20mm x 22mm LGA封装，具有相同的尺寸和引脚排列，并且软件兼容。
CSG14K和CSG8K传感器现已开始供样。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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