全新产品包含主动猝灭电路，可以通过它加快SPAD器件的恢复速度，使其为进一步光子探测做好准备。得益于尺寸的灵活性（宽度和长度方面），全新SPAD带来了更杰出的应用适应性。

SPAD和APD器件的完整器件模型保证了首次成功（first-time-right）；该模型还包括新的内置触发二极管行为。

得益于提升的PDP并结合极富竞争力的DCR水平，我们向市场推出的APD/SPAD解决方案具备令人印象深刻的信号完整性特性.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 14.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 26 S

下降时间: 5.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 24.6 ns

典型接通延迟时间: 6.1 ns

零件号别名: BSZ0602LS SP001589450

其IP67等级可在恶劣环境下提供出色的防护，比如有冷凝、油渍、油脂、燃料等污染物的环境。支持CANJ1939和USB信号输出。

客户设计的产品对平台调平、动态发动机管理、倾翻防护有最高等级的安全要求。

TE最新的多轴倾角传感器AXISENSE-G动态倾角传感器的性能不仅超过了安全性和满意度标准，还能在陡坡作业时确保工具区和座椅处于水平状态，提高驾驶员的舒适度。

AXISENSE-G动态倾角传感器旨在用于农业设备、高空作业平台和施工设备中。

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