新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

主要应用

NFC电路

主要特点与优势

在大电流应用中，实现了低交流电阻，进而抑制了损耗

电感公差范围小，仅±5%，抑制了与天线阻抗不匹配所造成的损耗

尺寸紧凑，外形小巧，节省空间，低漏磁结构可实现高密度安装

稳压输出、自然对流冷却的AC-DC电源LCS系列，该系列非常适合注重预算的应用。

四个新系列（LCS35、LCS50、LCS75和LCS100）分别提供35W、50W、75W和100W的功率水平，并符合B级传导和辐射标准，便于低成本的系统集成，同时集成了连接器盖，以提高安装后的安全性。

该产品的输入电压范围为85至264VAC，便于在全球范围内广泛用于ITE和工业应用.

LCS系列的标准功能包括电源 "ON "LED、0.3W的低待机功耗、输出短路保护、过流和过温保护。另外提供保形涂层版本。