Alveo SN1000 SmartNIC 系列的创新可组合卸载框架支持浪潮快速开发和部署定制工作负载，从而灵活适应日益演进的客户需求。

SN1000 SmartNIC系列基于赛灵思16nmUltraScale+™架构，采用低时延的赛灵思XCU26 FPGA和16核Arm®处理器。

SN1000 SmartNIC为10/25/100Gb/s连接提供了双QSFP端口，其具备领先的小封装性能和PCIe Gen4互联功能。SN1000采用全高半长外形规格和75瓦功率封装。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 18 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 32 S

下降时间: 4.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 25.6 ns

典型接通延迟时间: 8.5 ns

零件号别名: BSZ0702LS SP001614090

ESD静电放电二极管是一种过压和防静电保护组件，它是为高速数据传输应用中的I / O端口保护而设计的设备。 

ESD静电二极管用于防止电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。

电磁之间的关系。电感的作用是，在电路开始时，当一切仍然不稳定时，如果电感器中有电流，则肯定会产生与电流方向相反的感应。

电流(法拉第电磁感应定律)，电路运行一段时间后，一切稳定。

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