聚合物自恢复保险丝直流击穿电压高达5000V
发布时间:2021/3/30 7:32:46 访问次数:366
从联网和AI分析到金融交易,这些当今要求最严苛、最复杂的应用亟需低时延和实时性能。而这一性能水准的实现,始终受限于硬件开发受成本高昂且周期漫长。
借助这些全新产品及解决方案,赛灵思正为软件开发者扫清障碍,助其在Alveo加速器卡上快速打造和部署软件定义、硬件加速型应用。
自恢复保险丝(PPTC:聚合物自恢复保险丝)是用于过电流保护的正温度系数聚合物热敏电阻,可以代替电流保险丝。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 18 S
下降时间: 3.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14.3 ns
典型接通延迟时间: 4.7 ns
零件号别名: BSZ0803LS SP001614108
BSZ0803LS SP001614108
击穿电压的范围构成了过压保护的范围。固态放电管在使用时可以直接跨被保护电路的两端连接。玻璃放电管(强力放电管,防雷管)是20世纪末引入的一种新型防雷装置。
它具有陶瓷气体放电管和半导体过电压保护器的优点:高绝缘电阻(≥10 ^8Ω),小电极间电容(≤0.8pF),大放电电流(高达3 kA),双向对称,响应速度快速度快(冲击击穿没有滞后现象),性能稳定可靠和导电除了具有高的直流击穿电压(高达5000V),体积小和寿命长的优点外,后部电压也更低。
缺点是直流击穿电压的色散较大(±20%)。
从联网和AI分析到金融交易,这些当今要求最严苛、最复杂的应用亟需低时延和实时性能。而这一性能水准的实现,始终受限于硬件开发受成本高昂且周期漫长。
借助这些全新产品及解决方案,赛灵思正为软件开发者扫清障碍,助其在Alveo加速器卡上快速打造和部署软件定义、硬件加速型应用。
自恢复保险丝(PPTC:聚合物自恢复保险丝)是用于过电流保护的正温度系数聚合物热敏电阻,可以代替电流保险丝。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 18 S
下降时间: 3.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14.3 ns
典型接通延迟时间: 4.7 ns
零件号别名: BSZ0803LS SP001614108
BSZ0803LS SP001614108
击穿电压的范围构成了过压保护的范围。固态放电管在使用时可以直接跨被保护电路的两端连接。玻璃放电管(强力放电管,防雷管)是20世纪末引入的一种新型防雷装置。
它具有陶瓷气体放电管和半导体过电压保护器的优点:高绝缘电阻(≥10 ^8Ω),小电极间电容(≤0.8pF),大放电电流(高达3 kA),双向对称,响应速度快速度快(冲击击穿没有滞后现象),性能稳定可靠和导电除了具有高的直流击穿电压(高达5000V),体积小和寿命长的优点外,后部电压也更低。
缺点是直流击穿电压的色散较大(±20%)。