3.3V逻辑电路高达10A的激光驱动电流智能柔性封装低电压
发布时间:2021/3/30 7:15:10 访问次数:313
双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”。
为达到175℃的通道温度，该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。
这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。
SN1000 SmartNIC能为多种类型的联网、安全和存储卸载提供软件定义的硬件加速功能，例如开放虚拟交换机（Open vSwitch）和虚拟化加速（Virtio.net）。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 15.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 8.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 8 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: SP000781806 BSZ9N2NS3GXT BSZ900N20NS3GATMA1
单位重量: 100 mg
EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。
EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。
由于外形小巧且集成了多个功能，因此与采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比，其占板面积小36％。
双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”。
为达到175℃的通道温度，该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。
这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。
SN1000 SmartNIC能为多种类型的联网、安全和存储卸载提供软件定义的硬件加速功能，例如开放虚拟交换机（Open vSwitch）和虚拟化加速（Virtio.net）。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 15.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 8.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 8 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: SP000781806 BSZ9N2NS3GXT BSZ900N20NS3GATMA1
单位重量: 100 mg
EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。
EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。
由于外形小巧且集成了多个功能，因此与采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比，其占板面积小36％。
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