BackLED®及BoxLED®两大系列的欧司朗LED标识照明模组产品秉承德系品质，并以其独到的专利技术、专业的控光技术在全球范围内广泛应用。此次发布BackLED® M CP G4 升级版（A）集“安全”与“智慧”于一体，从材料选择到灯箱方案，都着眼于现代化城市建设，为提升生活环境质量与公共安全发挥良好的作用。

地铁及轨道交通与城市夜景作为与人们日常生活息息相关的两大场景，各自有着不同的环境特点，但对照明产品却都有着严格的安全与环保要求。

制造商:Texas Instruments产品种类:模数转换器 - ADCRoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-28分辨率:12 bit通道数量:1 Channel接口类型:Parallel采样比:125 kS/s输入类型:Single-Ended结构:SAR模拟电源电压:4.5 V to 5.5 V数字电源电压:4.5 V to 5.5 VSNR – 信噪比:72 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel特点:Internal Reference高度:2.35 mm长度:18 mm转换器数量:1 Converter功耗:75 mW宽度:7.52 mm商标:Texas Instruments参考类型:External, InternalINL - 积分非线性:+/- 0.5 LSB湿度敏感性:Yes工作电源电压:4.5 V to 5.4 VPd-功率耗散:120 mW产品类型:ADCs - Analog to Digital ConvertersSINAD - 信噪和失真率:68 dB1000子类别:Data Converter ICs单位重量:730.800 mg

新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。

Vishay SiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。

SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）