Zynq RFSoC DFE 将单位功耗性能提升高达两倍，并且能够从小蜂窝扩展至大规模 MIMO（mMIMO）宏蜂窝。该解决方案是一款独特的直接RF采样平台，能够在所有FR1频带和新兴频带（最高可达 7.125GHz）内实现载波聚合/共享、多模式、多频带400MHz瞬时带宽。

当用作毫米波中频收发器时，Zynq RFSoC DFE可提供高达1600MHz的瞬时带宽。Zynq RFSoC DFE的架构支持客户绕过或定制硬化的IP模块。例如，客户既可以利用支持现有和新兴GaN Pas的赛灵思经现场验证的DPD，也可以插入其自有的独特DPD IP。

通过 I2C 接口，使用图形界面 GUI 进行编程，所有选项均可通过片上 EEPROM 进行配置。该产品具有多个 PWM 输入选项可供选择，可以配置电机启动过程，即使在压力下也可在不到 60 ms 的时间内达到燃油泵的最大目标速度。MLX80302 采用 SOIC8 外露式焊盘封装。

可使用图形界面 GUI，通过 I2C 接口对 IC 进行配置的即插即用型应用板和评估板。

Glassman的 10kW高压电源BQ系列，适用于需要从0至15kV到0至100kV可控DC电源的OEM、工业和实验室机构。

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 145 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1 mm

长度: 3.3 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 70 S

下降时间: 4.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 5.4 ns

零件号别名: BSZ91NSXT SP000854570 BSZ0901NSATMA1

单位重量: 36.780 mg

宽带电流反馈型运算放大器，针对广播级质量视频系统进行了优化。

-3 dB带宽为120 MHz (G=+2)，差分增益和相位误差分别为0.01%和0.01° (RL = 150 W)，特别适合注重瞬态响应性能的脉冲应用。

最大压摆率可以达到2500V/μs以上，2V步进时0.1%建立时间少于25ns，10V步进时0.01%建立时间少于65ns。

低失真特性（带宽最高可达10MHz)和宽单位增益带宽,非常适合用作数据采集系统中ADC或DAC缓冲器。

是一款电流反馈型放大器，因此可在整个宽增益范围内保持这一带宽。

具有1.9nV/√Hz的低电压噪声、20pA/√Hz的低电流噪声以及出色的直流精度，适合宽动态范围应用。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）