碳化硅（SiC）技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂，可通过灵活的制造方案提供高质量器件，帮助最大限度地降低供应链风险。

经过Microchip内部以及第三方测试，关键可靠性指标已经证明，与其他厂商生产的SiC器件相比，器件性能更加卓越。

与其他在极端条件下出现性能下降碳化硅（SiC）器件不同，器件性能保持稳定，有助于延长应用寿命。

VL53L5封装在6.4x3.0x1.5mm的模块中，发送镜头和接收镜头都集成到模块上，并将模块对角线视场角（FoV）扩展到61度。

意法半导体的体系结构可以自动校准每个测距区，并且直接ToF技术支持每个区检测多个目标，不受玻璃盖板反射光的影响。

制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:静态随机存取存储器 存储容量:512 kbit 组织:32 k x 16 访问时间:25 ns 接口类型:Parallel 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:185 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-100 数据速率:SDR 存储类型:SDR 系列:CY7C027V 类型:Asynchronous 商标:Cypress Semiconductor 端口数量:2 产品类型:SRAM 工厂包装数量:90 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:657 mg

一款完全集成的单封装器件，集成高性能模拟外设和数字外设，由80MHz ARM®Cortex™-M3处理器和用于代码和数据的集成闪存进行控制。ADC输入电压范围为0 V至VREF。

用户利用序列器可选择一组ADC通道依次测量，在此期间无需软件介入。

该序列可以在用户选择的速率下选择自动重复。

提供多达8个VDAC，输出范围可编程设置为两个电压范围之一。

集成了一系列片内外设，可以根据应用需要通过软件控制进行配置。

器件的GPIO引脚在高阻抗输入模式上电。

在输出模式下，软件在开漏模式和推挽模式间选择。

上拉电阻可以通过软件禁用和使能。

在GPIO输出模式下，输入可以保持使能以监控引脚。

GPIO引脚也可编程设置为处理数字或模拟外设信号，在这种情况下，引脚特性需满足特定要求。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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