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EPC9148多电平转换器缩小了磁性元件的模块尺寸

发布时间:2021/3/27 13:30:23 访问次数:270

25V装置后英飞凌又推出了 OptiMOS 40 V 低电压功率 MOSFET,采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装,尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。

这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的 SMPS、电信和 OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。

制造商:Wurth Elektronik产品种类:铁氧体磁珠RoHS: 系列:产品:Ferrite Chip Beads端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0402 (1005 metric)阻抗:60 Ohms最大直流电流:300 mA容差:25 %最大直流电阻:250 mOhms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C长度:1 mm宽度:0.5 mm高度:0.5 mm资格:AEC-Q200封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel电容:-类型:SMD EMI Suppression Ferrite Bead WE-CBF商标:Wurth Elektronik产品类型:Ferrite Beads10000子类别:Ferrites终端:-测试频率:100 MHz单位重量:13 mg


EPC9148 多电平转换器缩小了支持磁性元件的模块尺寸,同时在紧凑的解决方案中,实现高效率。

EPC9148 演示板的亮点之一是采用Würth Elektronik的超薄功率电感器,从而实现具有超高功率密度的设计。EPC9153 演示板提供简单且低成本的同步降压配置,从而使元件可以实现纤薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20 V输出时,上升温度少于40°C。

eGaN FET凭借其快速的开关性能,提高整体效率,而它的芯片级占位面积使其易于散热,从而实现紧凑型设计所需的低上升温度。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



25V装置后英飞凌又推出了 OptiMOS 40 V 低电压功率 MOSFET,采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装,尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。

这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的 SMPS、电信和 OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。

制造商:Wurth Elektronik产品种类:铁氧体磁珠RoHS: 系列:产品:Ferrite Chip Beads端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0402 (1005 metric)阻抗:60 Ohms最大直流电流:300 mA容差:25 %最大直流电阻:250 mOhms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C长度:1 mm宽度:0.5 mm高度:0.5 mm资格:AEC-Q200封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel电容:-类型:SMD EMI Suppression Ferrite Bead WE-CBF商标:Wurth Elektronik产品类型:Ferrite Beads10000子类别:Ferrites终端:-测试频率:100 MHz单位重量:13 mg


EPC9148 多电平转换器缩小了支持磁性元件的模块尺寸,同时在紧凑的解决方案中,实现高效率。

EPC9148 演示板的亮点之一是采用Würth Elektronik的超薄功率电感器,从而实现具有超高功率密度的设计。EPC9153 演示板提供简单且低成本的同步降压配置,从而使元件可以实现纤薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20 V输出时,上升温度少于40°C。

eGaN FET凭借其快速的开关性能,提高整体效率,而它的芯片级占位面积使其易于散热,从而实现紧凑型设计所需的低上升温度。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



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