170V 6.8mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)
发布时间:2021/3/26 8:20:31 访问次数:400
板卡的核心组件是STSPIN32F0B电机控制器,其中包含STM32F0 *微控制器、三相半桥栅极驱动器、12V和3.3V电压稳压器、电流检测的运算放大器,以及功率级电路保护功能,例如, 可设置的过流保护(OCP)、交叉导通防护和欠压保护(UVLO)。
STEVAL-PTOOL1V1功率级电路采用意法半导体的功率MOSFET N沟道60V STripFET F7技术。
这款2英寸乘以2英寸(50.8 mm*50.8mm)电路板可实现最佳开关性能和包含所有关键元件,从而可以快速评估EPC2059的性能。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: RF 开关 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LGA-20
技术: Si
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Analog Devices
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF Switch ICs
工厂包装数量: 100
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量: 14 mg
170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),与目前用于高性能48 V同步整流的器件相比,EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。
EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管,是100 V ~ 200 V产品系列的最新成员,该系列适用于广阔的功率级,而且备有不同价格的器件可供选择,从而满足市场对48 V ~ 56 V服务器和数据中心产品和用于高端计算的多种消费类电源应用(包括游戏PC,LCD / LED电视和LED照明)不断增长的需求。
在AC/DC适配器的次级侧同步整流使用氮化镓器件,可实现非常明显的性能优势。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
板卡的核心组件是STSPIN32F0B电机控制器,其中包含STM32F0 *微控制器、三相半桥栅极驱动器、12V和3.3V电压稳压器、电流检测的运算放大器,以及功率级电路保护功能,例如, 可设置的过流保护(OCP)、交叉导通防护和欠压保护(UVLO)。
STEVAL-PTOOL1V1功率级电路采用意法半导体的功率MOSFET N沟道60V STripFET F7技术。
这款2英寸乘以2英寸(50.8 mm*50.8mm)电路板可实现最佳开关性能和包含所有关键元件,从而可以快速评估EPC2059的性能。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: RF 开关 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LGA-20
技术: Si
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Analog Devices
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF Switch ICs
工厂包装数量: 100
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量: 14 mg
170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),与目前用于高性能48 V同步整流的器件相比,EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。
EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管,是100 V ~ 200 V产品系列的最新成员,该系列适用于广阔的功率级,而且备有不同价格的器件可供选择,从而满足市场对48 V ~ 56 V服务器和数据中心产品和用于高端计算的多种消费类电源应用(包括游戏PC,LCD / LED电视和LED照明)不断增长的需求。
在AC/DC适配器的次级侧同步整流使用氮化镓器件,可实现非常明显的性能优势。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)