LPDDR部分通过包括高温老化、高温压力测试、高低温功能测试、性能测试4大类，共40多个子测试项。严格的测试标准为行业客户提供高可靠性的产品。

FORESEE NAND-based MCP助力物联网、可穿戴市场.丰富容量组合，满足差异化需求,产品容量组合包括1Gb+1Gb、2Gb+1Gb、2Gb+2Gb和4Gb+2Gb，无论是物联网，还是4G、5G模块，多样化的容量搭配可以满足不同应用的存储需求。

工业级温度要求，广泛场景应用,产品符合-40~85摄氏度工规温度要求，能够适应各种严苛的使用环境，在应用场景上拥有更多选择。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:7.6 A Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:17 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.5 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 系列:SI2 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.6 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:18 S 下降时间:6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:4 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:38 ns 典型接通延迟时间:13 ns 单位重量:8 mg

嵌入式数据处理性能，展示了如何在基于经济型微控制器的系统平台上运行高价值的应用软件。

我们的STM32Cube.AI生态系统使用户能够在很短的时间内开发出灵活的解决方案，利用我们技术团队的支持服务克服工程挑战，客户可以享受更高的设计效率。

普通DNN方案已经映射到STM32丰富的产品组合内，使用户可以有效地复制开发成果，为多个市场创建产品。在ST Live Days上运行演示应用的STM32H723 MCU完全胜任运行AI应用，因为这款产品的内核性能优异，闪存容量高达1Mbyte，提供高速片外存储器接口，以及各种传感器接口。