STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。

如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入引脚，让设计人员可以定义栅极驱动信号的极性。

STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:1.2 A Rds On-漏源导通电阻:480 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:670 pC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.3 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:1.6 S 下降时间:2.8 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3.8 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:3.7 ns 典型接通延迟时间:4.9 ns 单位重量:42 mg

e络盟推出的Multicomp Pro定制机箱系列的优势包括：

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