第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。

作为目前市场上首批也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电源应用都能够从中受益。

这些新器件将联合碳化硅的产品扩展到了750V，这样就可以为设计人员提供更多的裕量并减少其设计约束。同时，这一VDS额定值的提高，也使这些FET有利于400/500V总线电压应用。

制造商: ISSI

产品种类: NOR闪存

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP-8

系列: IS25LP064D

存储容量: 64 Mbit

电源电压-最小: 2.3 V

电源电压-最大: 3.6 V

有源读取电流（最大值）: 10 mA

接口类型: QPI, SPI

最大时钟频率: 133 MHz

组织: 8 M x 8

数据总线宽度: 8 bit

定时类型: Synchronous

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 105 C

封装: Cut Tape

封装: Reel

商标: ISSI

电源电流—最大值: 10 mA

产品类型: NOR Flash

工厂包装数量: 2000

子类别: Memory & Data Storage

基于平面波导技术的新型光学模块,这项新技术结合了激光组件通过平面路径发出的光，可以在超小型激光模块中实现约1620万种颜色的全彩显示。

从新模块发出的激光束被可视化到MEMS反射镜上，然后从透镜反射回来并直接投射到眼睛的视网膜上。与人们看到真实物体的方式不同，直接投射到视网膜上的图像将始终清晰，而无需调整焦点。

当用于在环境视图中将图像进行分层的AR眼镜中时，所有元素都保持聚焦，从而可以提供更逼真、更优质的AR体验。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）