Gen V GaN解决方案提供世界上最低的封装导通电阻，并且与采用标准TO-247-3封装的碳化硅(SiC)相比功耗降低了25%，从而提升GaN在EV功率转换市场上的潜力。

汽车行业全球领先的独立供应商之一Marelli宣布与Transphorm建立战略合作关系，合作开发基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案，包括适用于电动及混合动力汽车的车载充电器(OBC)、直流-直流(DC-DC)转换器和动力系统变频器。

到目前为止，Marelli已向Transphorm做出400万美元的股权投资，并承诺在2021年第一季度追加100万美元的股权投资。

GaN Systems与OnSemi合作开发了针对现有和全新PCB设计的100V高速半桥评估板。

通过EVB，可以轻松评估GaN在不断增长的48V市场应用中的应用，包括非隔离式降压转换器，非隔离式升压转换器以及半桥和全桥转换器。

解决方案提供了GaN晶体管和驱动器组合的灵活性,并应用于需要使用高端/低端FET组合的任何拓扑。

GaN Systems和OnSemi宣布联合推出采用GaN Systems的650V、30A GaN增强型(E-HEMT) 和OnSemi NCP51820高速门极驱动器的高速半桥GaN评估板子卡。

TP65H015G5WS与采用标准TO-247-3封装、导通电阻类似的尖端SiC MOSFET进行了比较。

Transphorm已开始供应SuperGaN Gen V FET的样品，SuperGaN Gen V FET是一款电阻15 mΩ、电压 650 V的器件，由于其栅极灵敏度，当下流行的单芯片e-mode GaN技术在此器件中不可用。

该解决方案与采用分立封装的典型SiC MOSFET的最低电阻(R)相当，能够根据目标应用驱动10 kW以上的功率，例如EV OBC和动力系统逆变器、机架式数据中心服务器的电源、不间断工业电源应用及可再生光伏逆变器。